CEDM8001VL TR
CEDM8001VL TR
Modello di prodotti:
CEDM8001VL TR
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
54325 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
CEDM8001VL TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-883VL
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:CEDM8001VL DKR
CEDM8001VL DKR-ND
CEDM8001VLDKR
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:45pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.66nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount SOT-883VL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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