CE3521M4-C2 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CE3521M4-C2, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CE3521M4-C2 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CE3521M4-C2 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CE3521M4-C2
- Modello di prodotti:
- CE3521M4-C2
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- RF FET 4V 20GHZ SOT343
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 30486 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CE3521M4-C2.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 2V |
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | pHEMT FET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-Super Mini Mold |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 125mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-82A, SOT-343 |
| Altri nomi: | CE3521M4-C2TR |
| Figura di rumore: | 1.05dB |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 11.9dB |
| Frequenza: | 20GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 20GHz 11.9dB 125mW 4-Super Mini Mold |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CE3521M4-C2
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC