CC3-4812DF-E è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per CC3-4812DF-E, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per CC3-4812DF-E via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista CC3-4812DF-E con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
CC3-4812DF-E
- Modello di prodotti:
- CC3-4812DF-E
- fabbricante:
- TDK-Lambda Americas, Inc.
- Descrizione:
- DC DC CNVRTR +/-12V TO +/-15V 3W
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47501 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - uscita 3: | - |
| Tensione - uscita 2: | -12 ~ -15 V |
| Tensione - Risultato 1: | 12 ~ 15 V |
| Tensione - Isolamento: | 500V |
| Tensione - Ingresso (min): | 36V |
| Tensione - Ingresso (max): | 76V |
| Digitare: | Isolated Module |
| Dimensioni / Dimension: | 0.90" L x 0.65" W x 0.34" H (22.9mm x 16.6mm x 8.5mm) |
| Serie: | CC-E |
| Potenza (W): | 3W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 7-DIP Module |
| Altri nomi: | 445-3317 CC3-4812DF-E-ND CC34812DFE |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C |
| Numero di uscite: | 2 |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caratteristiche: | - |
| Efficienza: | - |
| Descrizione dettagliata: | Isolated Module DC DC Converter 2 Output 12 ~ 15 V -12 ~ -15 V 125mA, 125mA 36V - 76V Input |
| Corrente - uscita (max): | 125mA, 125mA |
| Funzioni di controllo: | Enable, Active Low |
| applicazioni: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CC3-4812DF-E
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico