BUK9K8R7-40EX è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BUK9K8R7-40EX, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BUK9K8R7-40EX via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BUK9K8R7-40EX con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BUK9K8R7-40EX
- Modello di prodotti:
- BUK9K8R7-40EX
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 58137 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BUK9K8R7-40EX.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | LFPAK56D |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 mOhm @ 10A, 10V |
| Potenza - Max: | 53W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Altri nomi: | 1727-1491-2 568-10971-2 568-10971-2-ND 934067812115 BUK9K8R7-40EX-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2110pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15.7nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 53W Surface Mount LFPAK56D |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BUK9K8R7-40EX
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9K89-100E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 12.5A LFPAK56D | Inchiesta |
|
BUK9K35-60E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D | Inchiesta |
|
BUK9K6R8-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK | Inchiesta |
 |
BUK9M17-30EX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9K45-100E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D | Inchiesta |
|
BUK9M23-80EX | Nexperia | MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9M10-30EX | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9M156-100EX | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9M15-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33 | Inchiesta |
|
BUK9M120-100EX | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9K32-100EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9M11-40EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK | Inchiesta |
|
BUK9M19-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9M14-40EX | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9K5R6-30EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9K5R1-30EX | Nexperia | MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK | Inchiesta |
|
BUK9K6R2-40E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D | Inchiesta |
|
BUK9K52-60E,115 | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D | Inchiesta |
|
BUK9M12-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK | Inchiesta |
 |
BUK9K30-80EX | Nexperia | MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato