BSZ0901NSATMA1
BSZ0901NSATMA1
Modello di prodotti:
BSZ0901NSATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V S308
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
33056 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.BSZ0901NSATMA1.pdf2.BSZ0901NSATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TSDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSZ0901NSATMA1DKR
BSZ0901NSDKR
BSZ0901NSDKR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2850pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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