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BSP299H6327XUSA1
- Modello di prodotti:
- BSP299H6327XUSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 39378 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BSP299H6327XUSA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4 Ohm @ 400mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | BSP299H6327XUSA1-ND BSP299H6327XUSA1TR SP001058628 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 400mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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