BR25G512FVT-3GE2
BR25G512FVT-3GE2
Modello di prodotti:
BR25G512FVT-3GE2
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
SPI BUS EEPROM
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
47748 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.BR25G512FVT-3GE2.pdf2.BR25G512FVT-3GE2.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:5ms
Tensione di alimentazione -:1.8 V ~ 5.5 V
Tecnologia:EEPROM
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP-B
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:BR25G512FVT-3GE2TR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria:SPI
Formato di memoria:EEPROM
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) SPI 10MHz 8-TSSOP-B
Frequenza dell'orologio:10MHz
Email:[email protected]

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