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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF7G27L-135,118
BLF7G27L-135,118
BLF7G27L-135,118
Modello di prodotti:
BLF7G27L-135,118
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
28673 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
BLF7G27L-135,118.pdf
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introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:28V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:LDMOST
Serie:-
Alimentazione - uscita:25W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-502A
Altri nomi:934065601118
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:16.5dB
Frequenza:2.6GHz ~ 2.7GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.6GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 25W LDMOST
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:1.3A
Numero di parte base:BLF7G27
Email:[email protected]

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Parti relative per BLF7G27L-135,118

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF7G27LS-100,118 Image BLF7G27LS-100,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Inchiesta
BLF7G24L-160P,118 Image BLF7G24L-160P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A Inchiesta
BLF7G24LS-100,118 Image BLF7G24LS-100,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Inchiesta
BLF7G27L-90P,118 Image BLF7G27L-90P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A Inchiesta
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BLF7G24LS-160P,118 Image BLF7G24LS-160P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B Inchiesta
BLF7G24LS-160P,112 Image BLF7G24LS-160P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B Inchiesta
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BLF7G27L-135,112 Image BLF7G27L-135,112 Ampleon TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A Inchiesta
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