BLC8G27LS-245AVJ è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BLC8G27LS-245AVJ, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BLC8G27LS-245AVJ via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BLC8G27LS-245AVJ con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BLC8G27LS-245AVJ
- Modello di prodotti:
- BLC8G27LS-245AVJ
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1251
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 21508 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BLC8G27LS-245AVJ.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 28V |
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-DFM |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 56W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-1251-2 |
| Altri nomi: | 934068216118 |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 14.5dB |
| Frequenza: | 2.5GHz ~ 2.69GHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 500mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 14.5dB 56W 8-DFM |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Numero di parte base: | BLC8G27 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BLC8G27LS-245AVJ
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLC8G27LS-240AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | Inchiesta |
 |
BLC9G15XS-400AVTY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-210PVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Inchiesta |
 |
BLC9G15LS-400AVTZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Inchiesta |
|
BLC9G20LS-120VTZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-160AVHY | Ampleon | RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-240AVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-60AVZ | Ampleon | TRANS RF 60W LDMOS DFM6F | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-180AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-60AVY | Ampleon | TRANS RF 60W LDMOS DFM6F | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-180AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-160AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Inchiesta |
|
BLC9G20LS-120VTY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-2 | Inchiesta |
|
BLC8G27LS-245AVZ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 | Inchiesta |
 |
BLC9G15XS-400AVTZ | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-7 | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-245AVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12512 | Inchiesta |
 |
BLC9G15LS-400AVTY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato