BL02RN2R3J2B è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per BL02RN2R3J2B, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per BL02RN2R3J2B via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista BL02RN2R3J2B con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
BL02RN2R3J2B
- Modello di prodotti:
- BL02RN2R3J2B
- fabbricante:
- Murata Electronics
- Descrizione:
- FERRITE BEAD AXIAL 1LN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48726 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Dimensioni / Dimension: | 0.134" Dia (3.40mm) |
| Serie: | EMIFIL®, BL02EN |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Axial, Split Radial Bend |
| Altri nomi: | 490-11007 BL02RN2R3J2B-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C |
| Numero di linee: | 1 |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza (max): | 0.472" (12.00mm) |
| Tipo di filtro: | - |
| Resistenza DC (DCR) (max): | 20 mOhm |
| Spessore scheda (mm): | 7A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BL02RN2R3J2B
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi