BD435S
BD435S
Modello di prodotti:
BD435S
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 32V 4A TO-126
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
35459 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
BD435S.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):32V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-126
Serie:-
Potenza - Max:36W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-225AA, TO-126-3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:3MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100µA
Corrente - collettore (Ic) (max):4A
Numero di parte base:BD435
Email:[email protected]

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