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BAS321,115
- Modello di prodotti:
- BAS321,115
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 51340 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- BAS321,115.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.25V @ 200mA |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOD-323 |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 50ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-76, SOD-323 |
| Altri nomi: | 1727-4802-2 568-6002-2 568-6002-2-ND 934055352115 BAS321 T/R BAS321 T/R-ND BAS321,115-ND BAS321115 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 150°C (Max) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 200V 250mA (DC) Surface Mount SOD-323 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100nA @ 200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 250mA (DC) |
| Capacità a Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Numero di parte base: | BAS321 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BAS321,115
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS316/ZLX | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS321/8F | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS32L,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS | Inchiesta |
|
BAS321/ZLF | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS321Z | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS316WS RRG | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 250MA SOD323F | Inchiesta |
|
BAS316,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS321JX | Nexperia | BAS321J/SOD323/SOD2 | Inchiesta |
|
BAS321/8X | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS316,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS316/ZLF | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS321,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Inchiesta |
|
BAS321JF | Nexperia | BAS321J/SOD323/SOD2 | Inchiesta |
 |
BAS316-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS316,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | Inchiesta |
|
BAS316Z | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2 | Inchiesta |
|
BAS321/ZLX | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS316 RRG | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 250MA SOD323 | Inchiesta |
 |
BAS31-D87Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23 | Inchiesta |
|
BAS32L,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80 | Inchiesta |
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