B32562J3824J000 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per B32562J3824J000, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per B32562J3824J000 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista B32562J3824J000 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
B32562J3824J000
- Modello di prodotti:
- B32562J3824J000
- fabbricante:
- EPCOS
- Descrizione:
- CAP FILM 0.82UF 5% 250VDC 2DIP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57039 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- B32562J3824J000.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - cc: | 250V |
| Tensione nominale - ca: | 160V |
| Tolleranza: | ±5% |
| fine: | PC Pins |
| Serie: | SilverCap™ B32562 |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 2-DIP |
| Altri nomi: | B32562J3824J B32562J3824J-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Distanza conduttori: | 0.591" (15.00mm) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | - |
| materiale dielettrico: | Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked |
| Descrizione dettagliata: | 0.82µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP |
| Capacità: | 0.82µF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per B32562J3824J000
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
B32562J3684K289 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3824K000 | EPCOS | CAP FILM 0.82UF 10% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6105J000 | EPCOS | CAP FILM 1UF 5% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6104K289 | EPCOS | CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3684J189 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 5% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3684J000 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 5% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3474K189 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3684K189 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6105J189 | EPCOS | CAP FILM 1UF 5% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3684K000 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6104J000 | EPCOS | CAP FILM 0.1UF 5% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6104K000 | EPCOS | CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3684M000 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 20% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6104K189 | EPCOS | CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6105M000 | EPCOS | CAP FILM 1UF 20% 400VDC 2-DIP | Inchiesta |
|
B32562J3474K289 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3474M000 | EPCOS | CAP FILM 0.47UF 20% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J3684J289 | EPCOS | CAP FILM 0.68UF 5% 250VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6105K000 | EPCOS | CAP FILM 1UF 10% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
|
B32562J6105K189 | EPCOS | CAP FILM 1UF 10% 400VDC 2DIP | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico