ATP602-TL-H
ATP602-TL-H
Modello di prodotti:
ATP602-TL-H
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
42215 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
ATP602-TL-H.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ATPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2.7 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):70W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:ATPAK (2 leads+tab)
Altri nomi:869-1089-1
ATP602TLH
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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