AS4C8M32S-6BINTR
AS4C8M32S-6BINTR
Modello di prodotti:
AS4C8M32S-6BINTR
fabbricante:
Alliance Memory, Inc.
Descrizione:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
36926 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
AS4C8M32S-6BINTR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:2ns
Tensione di alimentazione -:3 V ~ 3.6 V
Tecnologia:SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore:90-TFBGA (8x13)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:90-TFBGA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:256Mb (8M x 32)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
Frequenza dell'orologio:166MHz
Tempo di accesso:5ns
Email:[email protected]

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