AS4C4M16SA-7BCN è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per AS4C4M16SA-7BCN, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per AS4C4M16SA-7BCN via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista AS4C4M16SA-7BCN con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
AS4C4M16SA-7BCN
- Modello di prodotti:
- AS4C4M16SA-7BCN
- fabbricante:
- Alliance Memory, Inc.
- Descrizione:
- IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 46472 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- AS4C4M16SA-7BCN.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 2ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SDRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 54-TFBGA (8x8) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 54-TFBGA |
| Altri nomi: | 1450-1261 |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 64Mb (4M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8) |
| Frequenza dell'orologio: | 143MHz |
| Tempo di accesso: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AS4C4M16SA-7BCN
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione
- Sotto il punto aereo dell'IA, i due principali giganti dei chip non sono "forti": distruggere i soldi per rompere la partita, scommettere sulle battaglie della squadra del 2025