ARF465AG è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ARF465AG, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ARF465AG via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ARF465AG con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ARF465AG
- Modello di prodotti:
- ARF465AG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 51650 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ARF465AG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 300V |
| Tensione - nominale: | 1200V |
| Tipo transistor: | N-Channel |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 150W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Figura di rumore: | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 15dB |
| Frequenza: | 40.68MHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet N-Channel 300V 40.68MHz 15dB 150W TO-247 |
| Valutazione attuale: | 6A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ARF465AG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF463AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Inchiesta |
|
ARF463AP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Inchiesta |
|
ARF461BG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Inchiesta |
 |
ARF468AG | Microsemi | RF MOSFET (VDMOS) | Inchiesta |
|
ARF463BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Inchiesta |
 |
ARF449BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 450V TO-247 | Inchiesta |
|
ARF465BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | Inchiesta |
|
ARF466FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 1000V 13A | Inchiesta |
|
ARF469BG | Microsemi | RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 | Inchiesta |
|
ARF469AG | Microsemi | RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 | Inchiesta |
 |
ARF466AG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | Inchiesta |
|
ARF466BG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | Inchiesta |
|
ARF468BG | Microsemi | RF MOSFET (VDMOS) | Inchiesta |
|
ARF475FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | Inchiesta |
|
ARF461CG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Inchiesta |
|
ARF463BP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | Inchiesta |
|
ARF460BG | Microsemi | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | Inchiesta |
|
ARF461AG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Inchiesta |
|
ARF473 | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | Inchiesta |
|
ARF460AG | Microsemi | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato