APTMC60TLM14CAG
Modello di prodotti:
APTMC60TLM14CAG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
56515 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTMC60TLM14CAG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 30mA (Typ)
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 150A, 20V
Potenza - Max:925W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8400pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:483nC @ 20V
Tipo FET:4 N-Channel (Three Level Inverter)
Caratteristica FET:Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:219A (Tc)
Email:[email protected]

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