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APTM50DDA10T3G
- Modello di prodotti:
- APTM50DDA10T3G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52142 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APTM50DDA10T3G.pdf2.APTM50DDA10T3G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 312W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP3 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4367pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 96nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 37A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTM50DDA10T3G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APTM50AM38STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | Inchiesta |
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APTM50AM70FT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 50A SP1 | Inchiesta |
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APTM50DAM35TG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 99A SP4 | Inchiesta |
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APTM50AM38FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | Inchiesta |
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APTM50DAM17G | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 180A SP6 | Inchiesta |
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APTM50DSKM65T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 | Inchiesta |
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APTM50DHM35G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 | Inchiesta |
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