APTGT75H60T2G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APTGT75H60T2G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APTGT75H60T2G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APTGT75H60T2G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APTGT75H60T2G
- Modello di prodotti:
- APTGT75H60T2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 25323 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APTGT75H60T2G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.9V @ 15V, 75A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP2 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 250W |
| Contenitore / involucro: | SP2 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Termistore NTC: | Yes |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 4.62nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP2 |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 250µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100A |
| Configurazione: | Full Bridge Inverter |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTGT75H60T2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT75DH60T1G | Microsemi | MOD IGBT 600V 100A SP1 | Inchiesta |
|
APTGT75SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W D1 | Inchiesta |
|
APTGT75TA60PG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P | Inchiesta |
|
APTGT75DU120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | Inchiesta |
|
APTGT75DSK60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | Inchiesta |
|
APTGT75SK60T1G | Microsemi | IGBT 600V 100A 250W SP1 | Inchiesta |
|
APTGT75SK120T1G | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | Inchiesta |
|
APTGT75H120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | Inchiesta |
|
APTGT75TDU60PG | Microsemi | IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P | Inchiesta |
|
APTGT75SK170D1G | Microsemi | IGBT 1700V 120A 520W D1 | Inchiesta |
 |
APTGT75TA120PG | Microsemi | POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 | Inchiesta |
|
APTGT75H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Inchiesta |
 |
APTGT75SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | Inchiesta |
|
APTGT75DH120TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | Inchiesta |
|
APTGT75DH60TG | Microsemi | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | Inchiesta |
 |
APTGT75TDU120PG | Microsemi | IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P | Inchiesta |
 |
APTGT75H60T1G | Microsemi | POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 | Inchiesta |
|
APTGT75DH120T3G | Microsemi | MOD IGBT 1200V 110A SP3 | Inchiesta |
 |
APTGT75DA60T1G | Microsemi | POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 | Inchiesta |
|
APTGT75DDA60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico