APTGF100DA120T1G è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APTGF100DA120T1G, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APTGF100DA120T1G via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APTGF100DA120T1G con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APTGF100DA120T1G
- Modello di prodotti:
- APTGF100DA120T1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 130A 735W SP1
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48253 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.APTGF100DA120T1G.pdf2.APTGF100DA120T1G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.7V @ 15V, 100A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP1 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 735W |
| Contenitore / involucro: | SP1 |
| temperatura di esercizio: | - |
| Termistore NTC: | Yes |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 6.5nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| Descrizione dettagliata: | IGBT Module NPT Single 1200V 130A 735W Chassis Mount SP1 |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 250µA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 130A |
| Configurazione: | Single |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTGF100DA120T1G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDR70X1601G | Microsemi | RECT DIODE MODULE 3PH 1600V SP1 | Inchiesta |
 |
APTDR90X1601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1600V 90A SP1 | Inchiesta |
 |
APTGF100DA120TG | Microsemi | IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 | Inchiesta |
 |
APTGF100A120T3WG | Microsemi | IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3 | Inchiesta |
 |
APTGF150A120TG | Microsemi | POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4 | Inchiesta |
|
APTGF150A60T3AG | Microsemi | MOD IGBT NPT 600V 230A SP3 | Inchiesta |
 |
APTGF100A120T3AG | Microsemi | MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3 | Inchiesta |
|
APTGF100DU120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 | Inchiesta |
 |
APTGF150DA120TG | Microsemi | IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 | Inchiesta |
 |
APTDF500U40G | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 500A LP4 | Inchiesta |
 |
APTGF100A120TG | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4 | Inchiesta |
|
APTDF60H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRDG 600V SP1 | Inchiesta |
 |
APTGF150DU120TG | Microsemi | IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4 | Inchiesta |
|
APTDR40X1601G | Microsemi | RECT BRIDGE MOD 3PHASE 1600V SP1 | Inchiesta |
 |
APTGF150A120T3WG | Microsemi | IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3 | Inchiesta |
|
APTGF100SK120TG | Microsemi | IGBT 1200V 135A 568W SP4 | Inchiesta |
 |
APTGF150A120T3AG | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3 | Inchiesta |
|
APTGF150DH120G | Microsemi | IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6 | Inchiesta |
 |
APTDF60H1201G | Microsemi | POWER MOD DIO FULL BRIDGE SP1 | Inchiesta |
 |
APTGF100A1202G | Microsemi | POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato