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APT75GN60B2DQ3G
- Modello di prodotti:
- APT75GN60B2DQ3G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 600V 155A 536W TO264
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 42428 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT75GN60B2DQ3G.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 600V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 1.85V @ 15V, 75A |
| Condizione di test: | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 47ns/385ns |
| di scambio energetico: | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 536W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | - |
| carica gate: | 485nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 225A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 155A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT75GN60B2DQ3G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT75M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX | Inchiesta |
 |
APT75GN120JDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Inchiesta |
 |
APT75GN120LG | Microsemi | IGBT 1200V 200A 833W TO264 | Inchiesta |
 |
APT75M50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | Inchiesta |
|
APT75DQ60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | Inchiesta |
|
APT75GT120JU2 | Microsemi | IGBT 1200V 100A 416W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75GP120JDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75GN60LDQ3G | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO264 | Inchiesta |
 |
APT75GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 155A 536W TO247 | Inchiesta |
|
APT75GN120J | Microsemi | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75GP120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 100A 1042W TMAX | Inchiesta |
|
APT75F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | Inchiesta |
|
APT75F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | Inchiesta |
|
APT75GT120JU3 | Microsemi | POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 | Inchiesta |
|
APT75GN120B2G | Microsemi | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | Inchiesta |
 |
APT75GP120J | Microsemi | IGBT 1200V 128A 543W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT75GT120JRDQ3 | Microsemi | IGBT 1200V 97A 480W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75GN120JDQ3G | Microsemi | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | Inchiesta |
|
APT75DQ120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Inchiesta |
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