APT13003DZTR-G1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT13003DZTR-G1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT13003DZTR-G1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT13003DZTR-G1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT13003DZTR-G1
- Modello di prodotti:
- APT13003DZTR-G1
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- TRANS NPN 450V 1.5A TO92
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 35499 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT13003DZTR-G1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 450V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 400mV @ 250mA, 1A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1.1W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi: | APT13003DZTR-G1DICT |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 4MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 1.5A 4MHz 1.1W Through Hole TO-92 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 5 @ 1A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT13003DZTR-G1
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC