AON7200_101
Modello di prodotti:
AON7200_101
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH DFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
37796 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
AON7200_101.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN-EP (3x3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 62W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-VDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 15.8A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15.8A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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