AON2701_001
Modello di prodotti:
AON2701_001
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
20481 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
AON2701_001.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Body)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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