AOB412L
AOB412L
Modello di prodotti:
AOB412L
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
43066 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
AOB412L.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D²Pak)
Serie:SDMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:15.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.6W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):7V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.2A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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