AD5228BUJZ50-RL7 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per AD5228BUJZ50-RL7, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per AD5228BUJZ50-RL7 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista AD5228BUJZ50-RL7 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
AD5228BUJZ50-RL7
- Modello di prodotti:
- AD5228BUJZ50-RL7
- fabbricante:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Descrizione:
- IC DGTL POT 50K UP/DN TSOT23-8
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 50202 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- AD5228BUJZ50-RL7.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Tolleranza: | ±20% |
| Coefficiente di temperatura (Typ): | 35 ppm/°C |
| rastremazione: | Linear |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSOT-23-8 |
| Serie: | - |
| Resistenza - Spazzola (Ohm) (Typ): | 100 |
| Resistenza (ohm): | 50k |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 |
| Altri nomi: | AD5228BUJZ50-RL7-ND AD5228BUJZ50-RL7TR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C |
| Numero di rubinetti: | 32 |
| Numero di circuiti: | 1 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interfaccia: | Pushbutton |
| Caratteristiche: | - |
| Descrizione dettagliata: | Digital Potentiometer 50k Ohm 1 Circuit 32 Taps Pushbutton Interface TSOT-23-8 |
| Configurazione: | Potentiometer |
| Numero di parte base: | AD5228 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AD5228BUJZ50-RL7
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico