AC0805KRX7R9BB103 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per AC0805KRX7R9BB103, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per AC0805KRX7R9BB103 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista AC0805KRX7R9BB103 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
AC0805KRX7R9BB103
- Modello di prodotti:
- AC0805KRX7R9BB103
- fabbricante:
- Yageo
- Descrizione:
- CAP CER 10000PF 50V X7R 0805
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 30633 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- AC0805KRX7R9BB103.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 50V |
| Tolleranza: | ±10% |
| Spessore (max): | 0.037" (0.95mm) |
| Coefficiente di temperatura: | X7R |
| Dimensioni / Dimension: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Serie: | AC |
| Giudizi: | AEC-Q200 |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 0805 (2012 Metric) |
| Altri nomi: | 311-3174-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount, MLCC |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo conduttore: | - |
| Distanza conduttori: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | - |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione dettagliata: | 10000pF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R 0805 (2012 Metric) |
| Capacità: | 10000pF |
| applicazioni: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AC0805KRX7R9BB103
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AC0805KRX7R9BB333 | Yageo | CAP CER 0.033UF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
 |
AC0805KRX7R8BB223 | Yageo | CAP CER 0.022UF 25V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R8BB103 | Yageo | CAP CER 10000PF 25V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB104 | Yageo | CAP CER 0.1UF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB152 | Yageo | CAP CER 1500PF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R8BB473 | Yageo | CAP CER 0.047UF 25V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R8BB224 | Yageo | CAP CER 0.22UF 25V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB222 | Yageo | CAP CER 2200PF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB332 | Yageo | CAP CER 3300PF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB223 | Yageo | CAP CER 0.022UF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R8BB104 | Yageo | CAP CER 0.1UF 25V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R7BB473 | Yageo | CAP CER 0.047UF 16V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB472 | Yageo | CAP CER 4700PF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R8BB102 | Yageo | CAP CER 1000PF 25V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R7BB224 | Yageo | CAP CER 0.22UF 16V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB682 | Yageo | CAP CER 6800PF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB154 | Yageo | CAP CER 0.15UF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB102 | Yageo | CAP CER 1000PF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R9BB473 | Yageo | CAP CER 0.047UF 50V X7R 0805 | Inchiesta |
|
AC0805KRX7R7BB472 | Yageo | CAP CER 4700PF 16V X7R 0805 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico