A2T18H455W23NR6
Modello di prodotti:
A2T18H455W23NR6
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Quantità di magazzino:
41598 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
A2T18H455W23NR6.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Prova:31.5V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:OM-1230-4L2S
Serie:-
Alimentazione - uscita:56dBm
Contenitore / involucro:OM-1230-4L2S
Altri nomi:935318707564
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Guadagno:14.5dB
Frequenza:1.805GHz ~ 1.88GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 31.5V 1.08A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Valutazione attuale:10µA
Corrente - Test:1.08A
Email:[email protected]

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