74LVCV2G66GD,125 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 74LVCV2G66GD,125, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 74LVCV2G66GD,125 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 74LVCV2G66GD,125 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
74LVCV2G66GD,125
- Modello di prodotti:
- 74LVCV2G66GD,125
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- IC SWITCH DUAL SPST 8XSON
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 46930 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 74LVCV2G66GD,125.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Alimentazione di tensione, singola (V +): | 2.3 V ~ 5.5 V |
| Alimentazione di tensione, Dual (V ±): | - |
| Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max): | 5ns, 9ns |
| Circuito di commutazione: | SPST - NO |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-XSON (2x3) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-XFDFN |
| Altri nomi: | 1727-7054-2 568-9380-2 568-9380-2-ND 74LVCV2G66GD,125-ND 74LVCV2G66GD-G 74LVCV2G66GD-G-ND 74LVCV2G66GD125 935286865125 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Resistenza sullo stato (Max): | 10 Ohm |
| Numero di circuiti: | 2 |
| Circuito di Multiplexer / Demultiplexer: | 1:1 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | 2 Circuit IC Switch 1:1 10 Ohm 8-XSON (2x3) |
| Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo): | 10µA |
| crosstalk: | -55dB @ 1MHz |
| Iniezione di carica: | 0.0035pC |
| Corrispondenza canale-canale (ΔRon): | - |
| Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato): | 8pF |
| Numero di parte base: | 74LVCV2G66 |
| -3 dB Larghezza di banda: | 210MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 74LVCV2G66GD,125
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico