74HCT109D-Q100J è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 74HCT109D-Q100J, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 74HCT109D-Q100J via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 74HCT109D-Q100J con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
74HCT109D-Q100J
- Modello di prodotti:
- 74HCT109D-Q100J
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- 74HCT109D-Q100/SOT109/SO16
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52447 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 74HCT109D-Q100J.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Digitare: | JK Type |
| Tipo di trigger: | Positive Edge |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100, 74HCT |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo di uscita: | Differential |
| Altri nomi: | 1727-7961-6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Numero di elementi: | 2 |
| Numero di bit per elemento: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Ritardo di propagazione @ V, Max CL: | 35ns @ 4.5V, 50pF |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso: | 3.5pF |
| Funzione: | Set(Preset) and Reset |
| Corrente - Quiescente (Iq): | 4µA |
| Corrente - uscita alta, bassa: | 5.2mA, 5.2mA |
| Frequenza dell'orologio: | 81MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 74HCT109D-Q100J
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
74HCT107D-Q100J | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 14SO | Inchiesta |
 |
74HCT08PW,118 | Nexperia | IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP | Inchiesta |
 |
74HCT109PW,112 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16TSSOP | Inchiesta |
 |
74HCT10DB,118 | Nexperia | IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SSOP | Inchiesta |
 |
74HCT109D,652 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SO | Inchiesta |
 |
74HCT109N,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16DIP | Inchiesta |
|
74HCT10DB,112 | Nexperia | IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SSOP | Inchiesta |
|
74HCT10D,652 | Nexperia | IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SO | Inchiesta |
 |
74HCT109DB,118 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SSOP | Inchiesta |
|
74HCT08PW-Q100,118 | Nexperia | IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP | Inchiesta |
|
74HCT109PW,118 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16TSSOP | Inchiesta |
|
74HCT109D,653 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SO | Inchiesta |
 |
74HCT08T14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP | Inchiesta |
|
74HCT10D-Q100J | Nexperia | IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SO | Inchiesta |
|
74HCT10D,653 | Nexperia | IC GATE NAND 3CH 3-INP 14SO | Inchiesta |
|
74HCT109DB,112 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SSOP | Inchiesta |
 |
74HCT107N,652 | NXP Semiconductors / Freescale | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 14DIP | Inchiesta |
 |
74HCT08S14-13 | Diodes Incorporated | IC GATE AND 4CH 2-INP 14SO | Inchiesta |
|
74HCT107D,652 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 14SO | Inchiesta |
|
74HCT107D,653 | Nexperia | IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 14SO | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico