7164L45DB è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 7164L45DB, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 7164L45DB via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 7164L45DB con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
7164L45DB
- Modello di prodotti:
- 7164L45DB
- fabbricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrizione:
- IC SRAM 64K PARALLEL 28CERDIP
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 38538 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.7164L45DB.pdf2.7164L45DB.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 45ns |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 28-CerDip |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| Altri nomi: | IDT7164L45DB IDT7164L45DB-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 45ns 28-CerDip |
| Tempo di accesso: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 7164L45DB
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash