70V657S12BFGI è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 70V657S12BFGI, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 70V657S12BFGI via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 70V657S12BFGI con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
70V657S12BFGI
- Modello di prodotti:
- 70V657S12BFGI
- fabbricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrizione:
- IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 52161 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.70V657S12BFGI.pdf2.70V657S12BFGI.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 12ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnologia: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 208-FPBGA (15x15) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 208-LFBGA |
| Altri nomi: | IDT70V657S12BFGI IDT70V657S12BFGI-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-FPBGA (15x15) |
| Numero di parte base: | IDT70V657 |
| Tempo di accesso: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 70V657S12BFGI
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?