70V639S10PRFG8 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 70V639S10PRFG8, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 70V639S10PRFG8 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 70V639S10PRFG8 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
70V639S10PRFG8
- Modello di prodotti:
- 70V639S10PRFG8
- fabbricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrizione:
- IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 57530 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 70V639S10PRFG8.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 10ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnologia: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 128-TQFP (14x20) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 128-LQFP |
| Altri nomi: | IDT70V639S10PRFG8 IDT70V639S10PRFG8-ND |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 2.25Mb (128K x 18) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 10ns 128-TQFP (14x20) |
| Numero di parte base: | IDT70V639 |
| Tempo di accesso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 70V639S10PRFG8
Latest Notizie
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione
- Sotto il punto aereo dell'IA, i due principali giganti dei chip non sono "forti": distruggere i soldi per rompere la partita, scommettere sulle battaglie della squadra del 2025