4515DO-DS5BS002DS è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 4515DO-DS5BS002DS, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 4515DO-DS5BS002DS via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 4515DO-DS5BS002DS con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
4515DO-DS5BS002DS
- Modello di prodotti:
- 4515DO-DS5BS002DS
- fabbricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descrizione:
- SENSOR PRESS GAUGE
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 32546 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 4515DO-DS5BS002DS.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 5V |
| Stile di terminazione: | PC Pin |
| Contenitore dispositivo fornitore: | - |
| Serie: | - |
| Tipo di pressione: | Differential |
| Stile porta: | Barbed |
| Dimensione porta: | Male - 0.14" (3.56mm) Tube, Dual |
| Contenitore / involucro: | 8-DIP Module |
| Tipo di uscita: | SPI |
| Produzione: | 14 b |
| Altri nomi: | 223-1436 |
| temperatura di esercizio: | -10°C ~ 85°C |
| Pressione di esercizio: | 0.07 PSI (0.5 kPa) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Pressione massima: | 10 PSI (68.95 kPa) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caratteristiche: | Temperature Compensated |
| Descrizione dettagliata: | Pressure Sensor 0.07 PSI (0.5 kPa) Differential Male - 0.14" (3.56mm) Tube, Dual 14 b 8-DIP Module |
| Precisione: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 4515DO-DS5BS002DS
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash