3LN01M-TL-E
3LN01M-TL-E
Modello di prodotti:
3LN01M-TL-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 0.15A
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
38167 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
3LN01M-TL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70/MCPH3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SC-70, SOT-323
Altri nomi:3LN01M-TL-EOSCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.58nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 150mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70/MCPH3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:150mA (Ta)
Email:[email protected]

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