3-1416100-7 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 3-1416100-7, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 3-1416100-7 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 3-1416100-7 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
3-1416100-7
- Modello di prodotti:
- 3-1416100-7
- fabbricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descrizione:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 6A 24V
- Stato senza piombo:
- Non applicabile / conforme alla normativa RoHS
- Quantità di magazzino:
- 20238 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 3-1416100-7.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Attiva tensione (max): | 16.8 VDC |
| Tensione di disattivazione (min): | 1.2 VDC |
| Stile di terminazione: | Spring Terminal |
| Tensione di commutazione: | 400VAC - Max |
| Serie: | SNR, SCHRACK |
| Tempo di rilascio: | 5ms |
| Tipo di relè: | General Purpose with Socket |
| imballaggio: | Bulk |
| Altri nomi: | 3-1416100-7-ND 314161007 PB1595 ST4P3LC4 ST4P3LC4-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 55°C |
| Tempo di funzionamento: | 12ms |
| Tipo montaggio: | DIN Rail |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Not applicable / RoHS Compliant |
| Caratteristiche: | Sealed - Fully |
| Descrizione dettagliata: | General Purpose with Socket Relay SPDT (1 Form C) 24VDC Coil DIN Rail |
| Contatti (Current): | 6A |
| Materiale del contatto: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| Modulo di Contatto: | SPDT (1 Form C) |
| Tensione della bobina: | 24VDC |
| Tipo di bobina: | Non Latching |
| Resistenza bobina: | 3.4 kOhms |
| Potenza bobina: | 220 mW |
| corrente bobina: | 7.0mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 3-1416100-7
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico