2SK536-TB-E
2SK536-TB-E
Modello di prodotti:
2SK536-TB-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34742 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
2SK536-TB-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-59
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 Ohm @ 10mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):200mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:2SK536-TB-EOSCT
temperatura di esercizio:125°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione dettagliata:N-Channel 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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