2SD1816T-E
2SD1816T-E
Modello di prodotti:
2SD1816T-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 100V 4A TP
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
25798 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
2SD1816T-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:400mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TP
Serie:-
Potenza - Max:1W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:2SD1816T-E-ND
2SD1816T-EOS
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:180MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):4A
Numero di parte base:2SD1816
Email:[email protected]

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