2SB906-Y(TE16L1,NQ è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 2SB906-Y(TE16L1,NQ, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 2SB906-Y(TE16L1,NQ via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 2SB906-Y(TE16L1,NQ con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
2SB906-Y(TE16L1,NQ
- Modello di prodotti:
- 2SB906-Y(TE16L1,NQ
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 41284 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 2SB906-Y(TE16L1,NQ.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 60V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1.7V @ 300mA, 3A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PW-MOLD |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 2SB906-Y(Q) 2SB906-Y(Q)-ND 2SB906-Y(TE16L1,NQ) 2SB906-Y(TE16L1,NQCT 2SB906-Y(TE16L1NQ) 2SB906-Y(TE16L1NQ)-ND 2SB906-Y(TE16L1NQ-ND 2SB906-Y(TE16L1NQCT 2SB906Y(TE16L1NQ 2SB906Y(TE16L1NQ-ND 2SB906YTE16L1NQ |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 9MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1W Surface Mount PW-MOLD |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 500mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SB906-Y(TE16L1,NQ
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi