2SA1930,ONKQ(J
2SA1930,ONKQ(J
Modello di prodotti:
2SA1930,ONKQ(J
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
22014 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
2SA1930,ONKQ(J.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):180V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 100mA, 1A
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220NIS
Serie:-
Potenza - Max:2W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:2SA1930ONKQ(J
2SA1930ONKQJ
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):5µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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