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2N5639
- Modello di prodotti:
- 2N5639
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- JFET N-CH 35V 0.31W TO92
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 59250 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 2N5639.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Breakdown (V (BR) GSS): | 35V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - RDS (on): | 60 Ohms |
| Potenza - Max: | 310mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Altri nomi: | 2N5639-ND 2N5639OS |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10pF @ 12V (VGS) |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | JFET N-Channel 35V 310mW Through Hole TO-92-3 |
| Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0): | 25mA @ 20V |
| Numero di parte base: | 2N5639 |
| Email: | [email protected] |
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