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1N6080US
- Modello di prodotti:
- 1N6080US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 24729 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1N6080US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.5V @ 37.7A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | G-MELF (D-5C) |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, G |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 155°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C) |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 10µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 2A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 1N6080US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
1N6080 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL | Inchiesta |
 |
1N6079 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL | Inchiesta |
 |
1N6095R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4 | Inchiesta |
 |
1N6077 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL | Inchiesta |
 |
1N6096R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 | Inchiesta |
|
1N6078 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL | Inchiesta |
|
1N6097 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5 | Inchiesta |
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4 | Inchiesta |
|
1N6081 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL | Inchiesta |
 |
1N6096 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | Inchiesta |
|
1N6097 | Microsemi | SCHOTTKY RECTIFIER | Inchiesta |
|
1N6079 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL | Inchiesta |
|
1N6076US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B | Inchiesta |
|
1N6077US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A D5B | Inchiesta |
|
1N6079US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF | Inchiesta |
|
1N6095 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4 | Inchiesta |
|
1N6078US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A D5B | Inchiesta |
|
1N6081 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL | Inchiesta |
|
1N6080 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL | Inchiesta |
|
1N6081US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF | Inchiesta |
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