1N5622US
Modello di prodotti:
1N5622US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
38854 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1N5622US.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Picco inversa (max):Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1A
Tensione - Ripartizione:D-5A
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F:-
Polarizzazione:SQ-MELF, A
Temperatura di funzionamento - Giunzione:2µs
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:1N5622US
Descrizione espansione:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
Configurazione diodo:500nA @ 1000V
Descrizione:DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.3V @ 3A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):1000V (1kV)
Capacità a Vr, F:-65°C ~ 200°C
Email:[email protected]

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