1N5552US
1N5552US
Modello di prodotti:
1N5552US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
26408 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1N5552US.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.2V @ 9A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:D-5B
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):2µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, B
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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