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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5418US
1N5418US
1N5418US
Modello di prodotti:
1N5418US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
46067 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1N5418US.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.5V @ 9A
Tensione - inversa (Vr) (max):400V
Contenitore dispositivo fornitore:D-5B
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):150ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:E-MELF
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 400V 3A Surface Mount D-5B
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 400V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per 1N5418US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5419 Image 1N5419 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF Inchiesta
1N5420 Semtech DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL Inchiesta
1N5420US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A D5B Inchiesta
1N5419E3 Image 1N5419E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL Inchiesta
1N5519B (DO35) Image 1N5519B (DO35) Microsemi DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 Inchiesta
1N5416US Image 1N5416US Microsemi DIODE GEN PURP 100V 3A D5B Inchiesta
1N5418TR Image 1N5418TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Inchiesta
1N5518BUR-1 Microsemi ZENER DIODE Inchiesta
1N5417US Image 1N5417US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A D5B Inchiesta
1N5419 Semtech DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL Inchiesta
1N5417C.TR Image 1N5417C.TR Semtech DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL Inchiesta
1N5518B (DO35) Image 1N5518B (DO35) Microsemi DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Inchiesta
1N5418-TAP Image 1N5418-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 Inchiesta
1N5417TR Image 1N5417TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Inchiesta
1N5417-TAP Image 1N5417-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 Inchiesta
1N5418 Image 1N5418 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF Inchiesta
1N5417 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL Inchiesta
1N5418C.TR Image 1N5418C.TR Semtech DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL Inchiesta
1N5419US Microsemi DIODE GEN PURP 500V 3A D5B Inchiesta
1N5420 Image 1N5420 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Inchiesta

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