1N5225A(DO-35) è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 1N5225A(DO-35), abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 1N5225A(DO-35) via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 1N5225A(DO-35) con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
1N5225A(DO-35)
- Modello di prodotti:
- 1N5225A(DO-35)
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE ZENER 3V 500MW DO35
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 34318 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1N5225A(DO-35).pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Zener (Nom) (Vz): | 3V |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.5V @ 200mA |
| Tolleranza: | ±10% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-35 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Altri nomi: | 1N5225A (DO-35) 1N5225A (DO-35)-ND 1N5225A (DO-35)TR 1N5225A (DO-35)TR-ND 1N5225A(DO-35)TR 1N5225ADO35MSTR 1N5225ADO35MSTR-ND 1N5225B 1N5225BMSTR 1N5225BMSTR-ND 1N5225DO35 1N5225DO35MSTR 1N5225DO35MSTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedenza (Max) (zzt): | 29 Ohms |
| Descrizione dettagliata: | Zener Diode 3V 500mW ±10% Through Hole DO-35 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 50µA @ 1V |
| Numero di parte base: | 1N5225 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 1N5225A(DO-35)
Latest Notizie
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash