1812Y2000562FFT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 1812Y2000562FFT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 1812Y2000562FFT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 1812Y2000562FFT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
1812Y2000562FFT
- Modello di prodotti:
- 1812Y2000562FFT
- fabbricante:
- Knowles Syfer
- Descrizione:
- CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 34237 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1812Y2000562FFT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione nominale - ca: | - |
| Tensione - nominale: | 200V |
| Tolleranza: | 5600pF |
| Spessore (max): | C0G, NP0 |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Serie: | FlexiCap™ |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Corrente di ondulazione - bassa frequenza: | Boardflex Sensitive |
| Giudizi: | - |
| Polarizzazione: | 1812 (4532 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount, MLCC |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 1812Y2000562FFT |
| Tipo conduttore: | 0.098" (2.50mm) |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | Soft Termination |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione espansione: | 5600pF ±1% 200V Ceramic Capacitor C0G, NP0 1812 (4532 Metric) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | ±1% |
| Descrizione: | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 1812Y2000562FFT
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
1812Y2000562JCR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562FAR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000561KCT | Knowles Syfer | CAP CER 560PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562FFR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562FCR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562GFR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562JAR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562GCR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000561KCR | Knowles Syfer | CAP CER 560PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000561KFT | Knowles Syfer | CAP CER 560PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
 |
1812Y2000562FAT | Knowles Syfer | CAP CER 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562JAT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000561KAT | Knowles Syfer | CAP CER 560PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562GFT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562GAT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562GAR | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562GCT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562JCT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000562FCT | Knowles Syfer | CAP CER 5600PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
|
1812Y2000561KFR | Knowles Syfer | CAP CER 560PF 200V C0G/NP0 1812 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico