1812Y2000123JDT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per 1812Y2000123JDT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per 1812Y2000123JDT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista 1812Y2000123JDT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
1812Y2000123JDT
- Modello di prodotti:
- 1812Y2000123JDT
- fabbricante:
- Knowles Syfer
- Descrizione:
- CAP CER 0.012UF 200V X7R 1812
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 50204 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1812Y2000123JDT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 200V |
| Tolleranza: | ±5% |
| Spessore (max): | 0.098" (2.50mm) |
| Coefficiente di temperatura: | X7R (2R1) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Serie: | FlexiCap™ |
| Giudizi: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 1812 (4532 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount, MLCC |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Tipo conduttore: | - |
| Distanza conduttori: | - |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza - In sede (max): | - |
| Caratteristiche: | Soft Termination |
| Tasso di fallimento: | - |
| Descrizione dettagliata: | 0.012µF ±5% 200V Ceramic Capacitor X7R (2R1) 1812 (4532 Metric) |
| Capacità: | 0.012µF |
| applicazioni: | Boardflex Sensitive |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 1812Y2000123JDT
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash