VLS252008ET-100M tersedia sekarang!LYNTEAM Technology adalah distributor stocking untuk VLS252008ET-100M, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan waktu yang lama.Silakan kirim paket pembelian Anda untuk VLS252008ET-100M melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Beli VLS252008ET-100M dengan LYNTEAM, hemat uang dan waktu Anda.
Email kami: [email protected]
VLS252008ET-100M
- Nomor bagian:
- VLS252008ET-100M
- Pabrikan:
- TDK Corporation
- Deskripsi:
- FIXED IND 10UH 410MA 1.232 OHM
- Status Bebas Timbal:
- Memimpin bebas / RoHS Compliant
- Jumlah stok:
- 35680 Pieces
- Waktu pengiriman:
- 1-2 days
- Lead time:
- 4-8 weeks
- Lembaran data:
- VLS252008ET-100M.pdf
pengantar
Spesifikasi
| Kondisi | New & Original, tested |
|---|---|
| Negara Asal | Contact us |
| Kode Penandaan | Send by email |
| Mengetik: | Wirewound |
| Toleransi: | ±20% |
| Paket Perangkat pemasok: | - |
| Ukuran / Dimensi: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| perisai: | Shielded |
| Seri: | VLS-E |
| penilaian: | - |
| Q @ Freq: | - |
| Pengemasan: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Case: | Nonstandard |
| Nama lain: | 445-15820-1 |
| Suhu Operasional: | -40°C ~ 105°C |
| mount Jenis: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bahan - Inti: | Ferrite |
| Status Gratis Memimpin / Status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Induktansi Frekuensi - Uji: | 1MHz |
| induktansi: | 10µH |
| Tinggi - Duduk (Max): | 0.032" (0.80mm) |
| Frekuensi - Self Resonant: | - |
| Detil Deskripsi: | 10µH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.232 Ohm Max Nonstandard |
| Perlawanan DC (DCR): | 1.232 Ohm Max |
| Peringkat saat ini: | 410mA |
| Saat ini - Saturation: | 430mA |
| Email: | [email protected] |
bagian terkait untuk VLS252008ET-100M
Latest Berita
- Laporan keuangan kuartal pertama dari SEF Semiconductor (ST) berkurang, dan permintaan mobil telah melambat
- Kinerja Texas Instruments masih harus didorong, dan dua pabrik penyimpanan mendorong produk memori flash baru
- Volume chip matang lokal, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasitas dekat beban
- Vishay Meluncurkan Kemasan Terganggu Kecerahan Tinggi Biru Kecil dan Hijau Murni LED
- Ansonmei meluncurkan sensor posisi induktif untuk pasar industri dan transportasi
- Ruisa memulai pabrik lama untuk meningkatkan perangkat daya, gempa mempengaruhi output dram ringan
- Microchip memungkinkan kapasitas produksi TSMC dan kenaikan harga
- Ruisa meluncurkan entri daya Ultra -Low -Level Series RA0
- Melexis meluncurkan chip sakelar induktor terintegrasi penuh
- X-FAB Memperkenalkan Teknologi Sensor Back Sensor untuk Meningkatkan Kinerja Sensor CMOS
- Pabrik chip besar dipengaruhi oleh gempa bumi: TSMC berhenti bekerja segera, memperburuk pasokan GPU dalam pasokan pendek?
- Memori nand flash berlanjut, mcu destocking bount benar